BRD20N03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRD20N03 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0136 Ohm
Encapsulados: TO252
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Búsqueda de reemplazo de BRD20N03 MOSFET
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BRD20N03 datasheet
brd20n03.pdf
BRD20N03(BRCS20N03D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast speed switching. / Applications DC/DC
Otros transistores... BRB80N06, BRB80N08, BRB80N10, BRD15P06, BRD17N10, BRD18N06, BRD18P06, BRD1N60, STP65NF06, BRD2N60, BRD2N65, BRD3N25, BRD3N80, BRD4N60, BRD4N65, BRD50N03, BRD50N06
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
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