BRD20N03 Todos los transistores

 

BRD20N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRD20N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 39 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0136 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRD20N03

 

BRD20N03 Datasheet (PDF)

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brd20n03.pdf

BRD20N03
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BRD20N03(BRCS20N03D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast speed switching. / Applications DC/DC

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