BRD20N03 Todos los transistores

 

BRD20N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRD20N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0136 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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BRD20N03 Datasheet (PDF)

1.1. brd20n03.pdf Size:1066K _blue-rocket-elect

BRD20N03
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BRD20N03(BRCS20N03D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. 特征 / Features R 小,门电荷低,C 小,开关速度快。 DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast speed switching. 用途 / Applications 用于低压电路如:汽车电路、DC/DC 转换、

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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