BRF12N65 Todos los transistores

 

BRF12N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRF12N65

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 51 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 133 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 175 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.78 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220FL

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BRF12N65 Datasheet (PDF)

1.1. brf12n65.pdf Size:852K _blue-rocket-elect

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BRF12N65(BRCS12N65FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-220FL 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. 特征 / Features 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。 Low gate charge, Low Crss , Fast switching. 用途 / Applications 用于高频开关电源,电子镇流器,UPS 电源。 High efficiency sw

3.1. brf12n60.pdf Size:850K _blue-rocket-elect

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BRF12N60(BRCS12N60FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-220FL 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. 特征 / Features 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。 Low gate charge, low crss, fast switching. 用途 / Applications 该器件适用于高效电源模块,主动式 PFC 电路和基于半桥拓扑

 

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