YW3407 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: YW3407
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
- Selección de transistores por parámetros
YW3407 Datasheet (PDF)
yw3407 fg.pdf

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com YW3407FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON) RDS(ON) (m) Typ VDSS ID Rugged and reliable 48@ VGS=-10V Simple drive requirement -30V -5.2A68 @ VGS=-4.5V SOT-23 package DDrain-Source Voltage VDS -30 VGate-Sourc
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 2SK415 | BUK7Y12-100E | AP4417GJ | SQ4850EY | HM10N60F | AP4506GEM | CJ8810
History: 2SK415 | BUK7Y12-100E | AP4417GJ | SQ4850EY | HM10N60F | AP4506GEM | CJ8810



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117