BRI4N65 Todos los transistores

 

BRI4N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRI4N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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BRI4N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  blue-rocket-elect
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BRI4N65

BRI4N65(BRCS4N65I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

 8.1. Size:799K  blue-rocket-elect
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BRI4N65

BRI4N60(BRCSI4N60I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high e

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BRI4N65

BRI4N70 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,Low thermal resistance, fast switching. / Applications For Electronic transformer, Switch mode power supply. / Eq

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History: NTR1P02T1 | CJ1012-G

 

 
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