2SK1236 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1236
Tipo de FET: MESFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 6 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
Paquete / Cubierta: 2072
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK1236
2SK1236 Datasheet (PDF)
2sk123.pdf
Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK1232SK123Silicon N-Channel JunctionUnit : mmFor impedance conversion in low frequency+0.25.8 -0.3For electret capacitor microphone+0.251.52.4 0.1 -0.051.9 0.1 Features 1 High mutual conductance gm3 Low noise voltage of NV2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Parameter Symbol Rating Unit1 : DrainDrain-Source vol
2sk0123 2sk123.pdf
Silicon Junction FETs (Small Signal)2SK0123 (2SK123)Silicon N-Channel Junction FETFor impedance conversion in low frequencyUnit: mmFor electret capacitor microphone0.40+0.100.050.16+0.100.063 Features High mutual conductance gm Low noise voltage of NV1 2(0.95) (0.95)1.90.12.90+0.200.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)10Parameter Symbol
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
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