2SK771 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK771
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm
Encapsulados: CP
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2SK771 datasheet
2sk771.pdf
Ordering number EN2391 N-Channel Junction Silicon FET 2SK771 Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions Variable resistors, analog switches, AF amplifier, unit mm constant-current circuit. 2050A [2SK771] Features 0.4 0.16 Adoption of FBET process. 3 Ultrasmall-sized package permitting sets to be made 0 to 0.1 smaller and sl
2sk775.pdf
"2SK775" "2SK775" "2SK775" "2SK775" "2SK775" "2SK775" "2SK775" "2SK775"
2sk772.pdf
Ordering number EN2392A N-Channel Junction Silicon FET 2SK772 AF Amplifier Applications Applications Package Dimensions Variable resistors, analog switches, AF amplifier, unit mm constant-current circuit. 2034A [2SK772] 2.2 4.0 Features Adoption of FBET process. 0.4 0.5 0.4 0.4 1 2 3 1 Source 1.3 1.3 2 Gate 3 Drain 3.0 3.8nom SANYO SPA Specifications Ab
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Liste
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