2SK772 Todos los transistores

 

2SK772 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK772
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm
   Paquete / Cubierta: SPA
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK772 Datasheet (PDF)

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2SK772

Ordering number:EN2392AN-Channel Junction Silicon FET2SK772AF Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions Variable resistors, analog switches, AF amplifier,unit:mmconstant-current circuit.2034A[2SK772]2.24.0Features Adoption of FBET process.0.40.50.40.41 2 31 : Source1.3 1.32 : Gate3 : Drain3.03.8nom SANYO : SPASpecificationsAb

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2SK772

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2SK772

Ordering number:EN2391N-Channel Junction Silicon FET2SK771Low-Frequency General-PurposeAmplifier ApplicationsApplications Package Dimensions Variable resistors, analog switches, AF amplifier,unit:mmconstant-current circuit.2050A[2SK771]Features0.40.16 Adoption of FBET process.3 Ultrasmall-sized package permitting sets to be made0 to 0.1smaller and sl

 9.3. Size:145K  nec
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2SK772

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History: IRFI840G | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | 2SK4066-DL-E | WFY3N02 | APT904R2AN | BST70A

 

 
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