2SK2711 Todos los transistores

 

2SK2711 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2711
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FN
 

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2SK2711 Datasheet (PDF)

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2SK2711

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2SK2711

TransistorsSwitching (250V, 16A)2SK2711FFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Wide SOA (safe operating area).4) Gate-source voltage (VGSS) guaran-teed to be 30V.5) Easily designed drive circuits.6) Easy to use in parallel.FStructureSilicon N-channel MOSFETFAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)FPackaging specificat

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2SK2711

2SK2710External dimensions 2 ...... FM100Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25C) (Ta = 25C)RatingsSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxV 600 V I = 100A, V = 0V(BR) DSS D GSV 600 VDSSI 100 nA V = 30VGSS GSV 30 VGSSI 100 A V = 600V, V = 0VDSS DS GSI 12 ADV 2.0 3.0 4.0 V V = 10V, I = 1mATH DS DI 48

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2SK2711

2SK2717 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIII) 2SK2717 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 2.3 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.4 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 720 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V (V = 10 V, I = 1

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History: DAMH50N500H | P4506BD | OSG65R070PT3F | HY1803C2 | ME4972-G | SUM90N08-6M2P | IXTN200N10L2

 

 
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