2SK2713 Todos los transistores

 

2SK2713 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2713
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FN
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK2713 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  rohm
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2SK2713

TransistorsSwitching (450V, 5A)2SK2713FFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Wide SOA (safe operating area).4) Gate-source voltage (VGSS) guaran-teed to be 30V.5) Easily designed drive circuits.6) Easy to parallel.FStructureSilicon N-channel MOSFETFAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)FPackaging specifications13

 ..2. Size:137K  rohm
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2SK2713

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2SK2713

2SK2710External dimensions 2 ...... FM100Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25C) (Ta = 25C)RatingsSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxV 600 V I = 100A, V = 0V(BR) DSS D GSV 600 VDSSI 100 nA V = 30VGSS GSV 30 VGSSI 100 A V = 600V, V = 0VDSS DS GSI 12 ADV 2.0 3.0 4.0 V V = 10V, I = 1mATH DS DI 48

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2SK2713

2SK2717 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIII) 2SK2717 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 2.3 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.4 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 720 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V (V = 10 V, I = 1

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History: DH160P04D | BUK9Y58-75B | LSF60R240HT | IRFU120PBF | ATM2N65TE | IXFK64N50Q3 | BUK456-60B

 

 
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