2SK1475 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1475
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Encapsulados: TP
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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2SK1475 datasheet
2sk1475.pdf
Ordering number EN3776A N-Channel Silicon MOSFET 2SK1475 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2083B Low-voltage drive. [2SK1475] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.85 0.7 1.2 0.6 0.5 1 Gate 1 2 3 2 Drain 3 Source 2.3 2.3 SANYO TP unit mm 2092B [2SK1475] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.5
2sk1474.pdf
Ordering number EN3775A N-Channel Silicon MOSFET 2SK1474 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2083B Low-voltage drive. [2SK1474] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.85 0.7 1.2 0.6 0.5 1 Gate 1 2 3 2 Drain 3 Source 2.3 2.3 SANYO TP unit mm 2092B [2SK1474] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.5
2sk1471.pdf
Ordering number EN3772A N-Channel Silicon MOSFET 2SK1471 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2083B Low-voltage drive. [2SK1471] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.85 0.7 1.2 0.6 0.5 1 Gate 1 2 3 2 Drain 3 Source 2.3 2.3 SANYO TP unit mm 2092B [2SK1471] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.5
Otros transistores... 2SK1466, 2SK1467, 2SK1468, 2SK1469, 2SK1471, 2SK1472, 2SK1473, 2SK1474, IRF520, 2SK1478, 2SK1578, 2SJ190, 2SK2509, 2SK2530, 2SK2538, 2SK2539, 2SK2555
History: NCEAP023N10LL | 2SK930
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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