2SK1608 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1608

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm

Encapsulados: TO220

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2SK1608 datasheet

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2SK1608

Power F-MOS FETs 2SK1608 2SK1608 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features 10.0 0.2 4.2 0.2 High avalanche energy capability 5.5 0.2 2.7 0.2 VGSS 30V guaranteed Low RDS(on), high-speed switching characteristic 3.1 0.1 Applications High-speed switching (switching mode regulator) For high-frequency power amplification 1.3 0.2 1.4 0.1 +0.2 0.5 -0.1 Abs

 ..2. Size:207K  inchange semiconductor
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2SK1608

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1608 DESCRIPTION Drain Current I =5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXI

 8.1. Size:673K  toshiba
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2SK1608

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2SK1608

2sk160

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