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HUF76443P3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUF76443P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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HUF76443P3 datasheet

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HUF76443P3

HUF76443P3, HUF76443S3S Data Sheet December 2001 75A, 60V, 0.0095 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.008 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.0095 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE E

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HUF76443P3

HUF76445P3, HUF76445S3S Data Sheet December 2001 75A, 60V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.0065 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.0075 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE

 7.2. Size:207K  fairchild semi
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HUF76443P3

HUF76445P3, HUF76445S3S Data Sheet December 2001 75A, 60V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.0065 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.0075 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE

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History: AGM1095MAP | SML5020BN

 

 
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