2SK1725 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1725  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: NMP

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2SK1725 datasheet

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2SK1725

Ordering number EN3820 N-Channel Silicon MOSFET 2SK1725 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2087A Low-voltage drive. [2SK1725] 2.5 Meets radial taping. 1.45 6.9 1.0 0.6 0.9 0.5 1 2 3 0.45 1 Source 2 Drain 3 Gate 2.54 2.54 SANYO NMP Specifications Absolute Maximum

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2SK1725

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2SK1725

Ordering number EN3824 N-Channel Silicon MOSFET 2SK1729 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2087A Low-voltage drive. [2SK1729] 2.5 Meets radial taping. 1.45 6.9 1.0 0.6 0.9 0.5 1 2 3 0.45 1 Source 2 Drain 3 Gate 2.54 2.54 SANYO NMP Specifications Absolute Maximum

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