2SK1725 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1725
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Paquete / Cubierta: NMP
Búsqueda de reemplazo de 2SK1725 MOSFET
2SK1725 Datasheet (PDF)
2sk1725.pdf

Ordering number:EN3820N-Channel Silicon MOSFET2SK1725Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2087A Low-voltage drive.[2SK1725]2.5 Meets radial taping.1.456.9 1.00.60.9 0.51 2 30.451 : Source2 : Drain3 : Gate2.54 2.54SANYO : NMPSpecificationsAbsolute Maximum
2sk1729.pdf

Ordering number:EN3824N-Channel Silicon MOSFET2SK1729Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2087A Low-voltage drive.[2SK1729]2.5 Meets radial taping.1.456.9 1.00.60.9 0.51 2 30.451 : Source2 : Drain3 : Gate2.54 2.54SANYO : NMPSpecificationsAbsolute Maximum
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History: MTM10N100E | 2SK1729
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Liste
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