HUF76445P3 Todos los transistores

 

HUF76445P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUF76445P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 150 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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HUF76445P3 Datasheet (PDF)

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HUF76445P3

HUF76445P3, HUF76445S3SData Sheet December 200175A, 60V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.0065, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.0075, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE

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HUF76445P3

HUF76445P3, HUF76445S3SData Sheet December 200175A, 60V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.0065, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.0075, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE

 7.1. Size:217K  fairchild semi
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HUF76445P3

HUF76443P3, HUF76443S3SData Sheet December 200175A, 60V, 0.0095 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.008, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.0095, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEE

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