HUF76445S3S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HUF76445S3S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263AB
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HUF76445S3S datasheet
huf76445s3st.pdf
HUF76445P3, HUF76445S3S Data Sheet December 2001 75A, 60V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.0065 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.0075 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE
huf76445p3-s3s.pdf
HUF76445P3, HUF76445S3S Data Sheet December 2001 75A, 60V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.0065 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.0075 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE
huf76443p3-s3s.pdf
HUF76443P3, HUF76443S3S Data Sheet December 2001 75A, 60V, 0.0095 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.008 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.0095 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE E
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History: IRHLF770Z4
History: IRHLF770Z4
Liste
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