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HUF76629D3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUF76629D3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251AA
 

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HUF76629D3 datasheet

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HUF76629D3

HUF76629D3, HUF76629D3S Data Sheet December 2001 20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance DRAIN SOURCE (FLANGE) - rDS(ON) = 0.052 , VGS = 10V DRAIN - rDS(ON) = 0.054 , VGS = 5V GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Elect

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HUF76629D3

HUF76629D3, HUF76629D3S Data Sheet December 2001 20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance DRAIN SOURCE (FLANGE) - rDS(ON) = 0.052 , VGS = 10V DRAIN - rDS(ON) = 0.054 , VGS = 5V GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Elect

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HUF76629D3

HUF76629D3ST-F085 N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 100V, 20A, 52m D Features Typ rDS(on) = 41m at VGS = 10V, ID = 20A Typ Qg(tot) = 39nC at VGS = 10V, ID = 20A G UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 S Applications Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Distributed Power Architectures and VRM Pr

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History: FDG314P | FDD5680 | FDD6682

 

 

 


 
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