2SK2380 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK2380
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.001 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 20000 Ohm
Paquete / Cubierta: SC75A
Búsqueda de reemplazo de 2SK2380 MOSFET
2SK2380 Datasheet (PDF)
2sk2380.pdf

Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK23802SK2380Silicon N-Channel JunctionUnit : mmFor impedance conversion in low frequency1.6 0.15For infrared sensor0.4 0.8 0.1 0.4 Features1 Low gate-source leakage current, IGSS3 Small capacitance of Ciss, Coss, Crss Downsizing of sets by mini-type package and automatic insertion by2taping/magazine packing are available.
2sk2381.pdf

2SK2381 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSV) 2SK2381 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.56 (typ.) High forward transfer admittance : |Y | = 4.5 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 200 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 1.
2sk2382.pdf

2SK2382 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK2382 Switching Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.13 (typ.) High forward transfer admittance : |Y | = 17 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 200 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 1.5~3.5
Otros transistores... 2SK2347 , 2SK2348 , 2SK2349 , 2SK2374 , 2SK2375 , 2SK2377 , 2SK2378 , 2SK2379 , 7N65 , 2SK2383 , 2SJ400 , 2SJ466 , 2SJ485 , 2SJ499 , 2SJ501 , 2SJ502 , 2SJ503 .
History: IPS60R360PFD7S | SI3911DV-T1 | MTH15N40
History: IPS60R360PFD7S | SI3911DV-T1 | MTH15N40



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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