2SJ466 Todos los transistores

 

2SJ466 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ466
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: ZP
 

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2SJ466 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:39K  sanyo
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2SJ466

Ordering number:ENN5491BP-Channel Silicon MOSFET2SJ466Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2128 4V drive.[2SJ466] Enables simplified fabrication, high-density mount-8.27.8ing, and miniaturization in end products due to the6.20.63surface mountable package.1 20.31

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2SJ466

2SJ465 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L --MOSV) 2SJ465 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mm Applications 2.5 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.54 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 1.7 S (typ.) fs Low leakage current : I = -100 A (max) DSS (V = -16 V) DS Enhance

Otros transistores... 2SK2374 , 2SK2375 , 2SK2377 , 2SK2378 , 2SK2379 , 2SK2380 , 2SK2383 , 2SJ400 , IRFP260 , 2SJ485 , 2SJ499 , 2SJ501 , 2SJ502 , 2SJ503 , 2SJ520 , 2SJ560 , 2SJ561 .

History: 3SK319 | TPC8013-H | PV6D2DA | HCF65R550 | ISCNH376L

 

 
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