SSF3402 Todos los transistores

 

SSF3402 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSF3402
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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SSF3402 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  silikron
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SSF3402

SSF3402 DDESCRIPTION The SSF3402 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), Glow gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID = 5A RDS(ON)

 9.1. Size:360K  silikron
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SSF3402

SSF3420 D DESCRIPTION The SSF3420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =6.3A RDS(ON)

 9.2. Size:288K  silikron
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SSF3402

SSF3428 DESCRIPTION The SSF3428 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =6A RDS(ON)

 9.3. Size:428K  silikron
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SSF3402

SSF3416 D DESCRIPTION The SSF3416 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =9A RDS(ON)

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History: AM7481P | BSC152N10NSFG | CJ3404 | NCEP40T13AGU | CSD17577Q3A | MEE4294-G | CJ8820

 

 
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