SSF6014D MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SSF6014D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF6014D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: DPAK

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SSF6014D datasheet

..1. Size:688K silikron
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SSF6014D Main Product Characteristics VDSS 60V RDS(on) 12m (typ.) ID 60A DPAK Ma rk in g an d pi n Sc h ema t ic diag r am Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body rec

7.1. Size:259K silikron
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SSF6014J7 Main Product Characteristics VDSS 60V RDS(on) 11m (typ.) ID 40A PQFN 5x6 Pin Assignment Schematic Diagram Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 ope

7.2. Size:481K silikron
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SSF6014A Feathers ID =60A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=14m max. Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSF6014A is a new generation of middle voltage and high current N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and ele

7.3. Size:807K silikron
ssf6014j8.pdf pdf_icon

SSF6014J8 Main Product Characteristics V 60V DSS R (on) 16m (typ.) DS I 22A D PinAssignment Schematic diagram DFN3.3x3.3 Bottom view Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

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