SSF6092G1 Todos los transistores

 

SSF6092G1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSF6092G1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 16.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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SSF6092G1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:530K  silikron
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SSF6092G1

SSF6092G1 Main Product Characteristics: VDSS 60V 70m(typ) RDS(on) 2.7A ID Marking and pin SOT23 Schematic diagram A ssign men t Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 9.1. Size:503K  silikron
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SSF6092G1

SSF6007 Main Product Characteristics: VDSS -50V 60076007 RDS(on) 2.1ohm(typ.) ID -130mA Marking and p in Schematic dia gram SOT-23 Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for Line current interrupter in telephone sets, Relay, high speed and line transformer drivers and general purpose applications Ultra l

 9.2. Size:259K  silikron
 ssf6014j7.pdf pdf_icon

SSF6092G1

SSF6014J7Main Product Characteristics: VDSS 60V RDS(on) 11m (typ.) ID 40APQFN 5x6Pin AssignmentSchematic DiagramFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 ope

 9.3. Size:498K  silikron
 ssf6072g5.pdf pdf_icon

SSF6092G1

SSF6072G5 Main Product Characteristics: VDSS 60V SSF6072G5SSF6072G560726072 RDS(on) 67m (typ.) ID 4A Marking and pin SOT-223 Schematic diagram Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for DC-DC and DC-AC converters, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate c

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History: IRLU8256 | RU30E4B

 

 
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