SSF6092G1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF6092G1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm

Encapsulados: SOT23

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SSF6092G1 datasheet

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SSF6092G1

SSF6092G1 Main Product Characteristics VDSS 60V 70m (typ) RDS(on) 2.7A ID Marking and pin SOT23 Schematic diagram A ssign men t Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

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SSF6092G1

SSF6007 Main Product Characteristics VDSS -50V 6007 6007 RDS(on) 2.1ohm(typ.) ID -130mA Marking and p in Schematic dia gram SOT-23 Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for Line current interrupter in telephone sets, Relay, high speed and line transformer drivers and general purpose applications Ultra l

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SSF6092G1

SSF6014J7 Main Product Characteristics VDSS 60V RDS(on) 11m (typ.) ID 40A PQFN 5x6 Pin Assignment Schematic Diagram Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 ope

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SSF6092G1

SSF6072G5 Main Product Characteristics VDSS 60V SSF6072G5 SSF6072G5 6072 6072 RDS(on) 67m (typ.) ID 4A Marking and pin SOT-223 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for DC-DC and DC-AC converters, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate c

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