SSF6808D Todos los transistores

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SSF6808D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF6808D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 114 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 68 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 79 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 96.4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 391 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.008 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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SSF6808D Datasheet (PDF)

1.1. ssf6808d.pdf Size:575K _silikron

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 SSF6808D Main Product Characteristics: VDSS 68V RDS(on) 6.1mohm(typ.) ID 79A Mar ki ng a nd p in DPAK Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits:  Advanced trench MOSFET process technology  Special designed for PWM, load switching and general purpose applications  Ultra low on-resistance with low gate charge  Fast switching and reverse body

3.1. ssf6808a.pdf Size:460K _silikron

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SSF6808A Feathers: ID =84A  Advanced trench process technology BV=68V  Ultra low Rdson, typical 5mohm Rdson=8mohm  High avalanche energy, 100% test  Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF6808A is a new generation of middle voltage and high current N–Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases t

3.2. ssf6808.pdf Size:515K _silikron

SSF6808D
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SSF6808 Feathers: ID =84A Advanced trench process technology BV=68V Ultra low Rdson, typical 6mohm Rdson=8mohm High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF6808 is a new generation of middle voltage and high current N–Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device

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