SSF80100 Todos los transistores

 

SSF80100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSF80100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 328 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SSF80100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:431K  silikron
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SSF80100

SSF80100Main Product Characteristics: VDSS 75V RDS(on) 8m(typ.) ID 80A TO220Schematic diagramMarking and pin AssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for motor control, PWM, load switching etc. Ultra low on-resistance with low gate charge Excellent Qgd/Qgs rating Fast switching and rever

 9.1. Size:287K  1
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 9.2. Size:1022K  cn super semi
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SSF80100

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor800V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySS*80R240SFDRev. 1.1Apr. 2023www.supersemi.com.cnSSF80R240SFD/SSP80R240SFD800V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-E

 9.3. Size:1181K  cn super semi
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SSF80100

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor800V Super Junction Power MOSFETSS*80R500SRev. 2.1Jun. 2022www.supersemi.com.cnSeptember, 2013SJ-FETSSF80R500S/SSP80R500S/SSB80R500S/SST80R500S800V N-Channel MOSFETDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET 850V @

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History: WSD2012DN25 | WMT04N10TS | NTJS4405N

 

 
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