SSFD4024 Todos los transistores

 

SSFD4024 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSFD4024
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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SSFD4024 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  silikron
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SSFD4024

SSFD4024 Main Product Characteristics: VDSS 40VRDS(on) 30 mohmTO-252 top view ID 12AFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology SSFD4024 Special designed for Convertors and power controls Ultra low on-resistance 175 operating temperature Marking and pin Assignment Description: It utilizes the latest trench processing techniques to ac

 8.1. Size:562K  silikron
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SSFD4024

SSFD4004 Main Product Characteristics: VDSS 40V RDS(on) 3.2mohm(typ.) ID 145A TO-252 Mar ki ng a nd p in Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recove

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History: RDN050N20 | 2SJ548 | FDA79N15 | FDBL86366-F085 | RCX051N25 | FDN327N | RF1S640SM

 

 
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