SSFM2506 Todos los transistores

 

SSFM2506 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSFM2506
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 65.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 512 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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SSFM2506 Datasheet (PDF)

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SSFM2506

SSFM2506 Main Product Characteristics: VDSS 25V RDS(on) 4.1mohm(typ.) ID 60A Sch emati c di ag ram TO-252 (D-PAK) Mar ki ng a nd pin Assignment Features and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and revers

 0.1. Size:677K  goodark
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SSFM2506

SSFM2506L 25V N-Channel MOSFET Main Product Characteristics: VDSS 25V SSSFFM25006SSSFFM25006SSSFFM25006SSSFFM25006S M 25 8S M 25 8S M 25 8S M 25 8SS F M 2508SS F M 2508SS F M 2508SS F M 2508SSFM2506LSSFM2506L RDS(on) 6mohm Marking and pinMarking and pinMarking and pinMarking and pinMarking and pinMarking and pinMarking and pinMarking and pin

 7.1. Size:572K  goodark
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SSFM2506

SSFM2508 25V N-Channel MOSFET Main Product Characteristics: VDSS 25V SSFM2508SSFM2508RDS(on) 8mohm ID 55A Marking and pin Marking and pinTO-252 DPAKTO-252 DPAKassignmentassignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low

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