SSFM3008H1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSFM3008H1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 104.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 342 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSFM3008H1

SSFM3008H1 Datasheet (PDF)

..1. Size:530K silikron
ssfm3008h1.pdf

SSFM3008H1Main Product Characteristics: VDSS 30V SSFM3008H1SSFM3008H1 RDS(on) 7.4mohm(typ.)ID 20A SOP-8Marking and pin Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and re

6.1. Size:539K silikron
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SSFM3008LMain Product Characteristics: VDSS 30V SSFM3008LSSFM3008LSSFM3008SSFM3008SSFM3008SSFM3008 RDS(on) 5.0mohm(typ.)ID 50A Marking and pin TO252Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with lo

6.2. Size:541K silikron
ssfm3008.pdf

SSFM3008Main Product Characteristics: VDSS 30V SSFM3008SSFM3008 RDS(on) 5.0mohm(typ.)ID 50A Marking and pin TO252Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and revers

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Liste

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