IRC533 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRC533
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
- Selección de transistores por parámetros
IRC533 Datasheet (PDF)
irc530pbf.pdf

PD-96001BIRC530PbF Lead-Freewww.irf.com 12/10/05IRC530PbF2 www.irf.comIRC530PbFwww.irf.com 3IRC530PbF4 www.irf.comIRC530PbFwww.irf.com 5IRC530PbF6 www.irf.comIRC530PbFwww.irf.com 7IRC530PbF8 www.irf.comIRC530PbFHexsenseTO-220 5L Package Outline ( Dimensions are shown in millimeters (inches)Hexsense TO-220 5L Part Marking InformationEXAMPL
Otros transistores... IRC530 , IRC530-007 , IRC530-008 , IRC5305 , IRC530A , IRC531 , IRC531-007 , IRC531-008 , AO3407 , IRC533A , IRC5405 , IRC620 , IRC624 , IRC6305 , IRC6345 , IRC6405 , IRC6445 .
History: FQP630 | 7NM65L-TA3-T | 12N65 | 2SK1925 | 2P802A | AMR432N | IRF712
History: FQP630 | 7NM65L-TA3-T | 12N65 | 2SK1925 | 2P802A | AMR432N | IRF712



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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