MMFTN170 Todos los transistores

 

MMFTN170 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMFTN170

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO236

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MMFTN170 datasheet

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MMFTN170

MMFTN170 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Feature Voltage controlled small signal switch Drain High saturation current capability Gate 1. Gate 2. Source 3. Drain Source TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDSS 60 V Drain-Gate Voltage (RGS 1 M ) VDGR 60 V V Gate-Source

 ..2. Size:889K  cn vbsemi
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MMFTN170

MMFTN170 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (mA) Definition 2.8 at VGS = 10 V 60 250 Low Threshold 2 V (typ.) Low Input Capacitance 25 pF Fast Switching Speed 25 ns Low Input and Output Leakage SOT-23 TrenchFET Power MOSFET 1200V ESD Protection G 1

 8.1. Size:154K  semtech
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MMFTN170

MMFTN138 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor for low voltage, low current switching applications 1. Gate 2. Source 3. Drain TO-236 Plastic Package Drain Gate Source O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDSS 50 V Drain-Gate Voltage (RGS 20 K ) VDGR 50 V Gate-Source

 8.2. Size:910K  semtech
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MMFTN170

MMFTN138W N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor for low voltage, low current switching applications 1. Gate 2. Source 3. Drain SOT-323 Plastic Package Drain Gate Source Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDSS 50 V Drain-Gate Voltage (RGS 20 K ) VDGR 50 V Gate-Source V

Otros transistores... MMBT7002DW , MMBT7002E , MMBT7002K , MMBT7002KW , MMBT7002VW , MMBT7002W , MMFTN123 , MMFTN138 , 60N06 , MMFTN20 , MMFTN2302 , MMFTN2306 , MMFTN290E , MMFTN3018W , MMFTN3019E , MMFTN3406 , MMFTN501 .

 

 

 


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