MMFTN3018W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMFTN3018W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMFTN3018W

MMFTN3018W Datasheet (PDF)

..1. Size:462K semtech
mmftn3018w.pdf

MMFTN3018W Silicon N-Channel MOSFET DrainApplications Interfacing, switching Gate1. Gate 2. Source 3. Drain SourceSOT-323 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitDrain Source Voltage VDSS 30 VGate Source Voltage VGSS 20 VDrain Current - Continuous ID 100 mA Drain Current - Pulsed IDP 1) 400 200 mWTotal Power

6.1. Size:522K semtech
mmftn3019e.pdf

MMFTN3019E N-Channel Field Effect Transistor Applications Interfacing, switching Features Drain Low on-resistance Fast switching speed Low voltage drive makes this device ideal for portable equipment Gate Drive circuits can be simple Parallel use is easy SourceOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Vo

6.2. Size:330K msksemi
mmftn3019e-ms.pdf

www.msksemi.comMMFTN3019E-MSSemiconductor CompianceAbsolute Maximum Ratings T = 25C unless otherwise notedASymbol Parameter Value UnitsVDS Drain-Source Voltage 30 VVGS Continuous Gate-Source Voltage 20V V3I Continuous Drain Current 100 mADP Power Dissipation 150 mWD2RJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 833 C /W1. Gate2. SourceTSTG Storage Te

8.1. Size:215K semtech
mmftn3406.pdf

MMFTN3406 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 1. Gate 2. Source 3. DrainTO-236 Plastic Package DrainGate SourceAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 30 VGate-Source Voltage VGS 20 VContinuous Drain Current ID 3.6 ADrain Current - Pulsed 1) IDM 15 APower Dissipation 1) Pd 1.4 WTherm

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STT02N20

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: