MMFTP84W Todos los transistores

 

MMFTP84W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMFTP84W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm

Encapsulados: SOT323

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MMFTP84W datasheet

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MMFTP84W

MMFTP84W P-Channel Enhancement Mode Vertical D-MOS Transistor Features Low threshold voltage Direct interface to C-MOS, TTL, etc. High-speed switching No secondary breakdown 1. Gate 2. Source 3. Drain SOT-323 Plastic Package Applications Line current interrupter in telephone sets Relay, high speed and line transformer drivers Caution The device

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MMFTP84W

MMFTP84 P-Channel Enhancement Mode Vertical D-MOS Transistor Features Low threshold voltage Direct interface to C-MOS, TTL, etc. High-speed switching No secondary breakdown 1. Gate 2. Source 3. Drain SOT-23 Plastic Package Applications Line current interrupter in telephone sets Relay, high speed and line transformer drivers Caution The device i

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MMFTP84W

MMFTP3401 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1. Gate 2. Source 3. Drain TO-236 Plastic Package Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage -VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 12 V Drain Current T = 25 4 A -ID A 3.2 T = 70 A Peak Drain Current 1) -IDM 27 A Power Dissipation 2) T = 25 A 1.4 PD W 0.9 T = 70 A Junction and St

Otros transistores... MMFTN20 , MMFTN2302 , MMFTN2306 , MMFTN290E , MMFTN3018W , MMFTN3019E , MMFTN3406 , MMFTN501 , IRF540N , ST2N7000 , MMFTN138W , 2SK2876-01MR , 2SK1356 , SD211DE , SD213DE , SD215DE , SST211 .

History: SM2670NSC | NTD4904N | AUIRF7343Q | SW226NV | AOD2904 | FX20VSJ-3 | AGM612MNA

 

 

 

 

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