MMFTP84W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMFTP84W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMFTP84W

MMFTP84W Datasheet (PDF)

..1. Size:464K semtech
mmftp84w.pdf

MMFTP84W P-Channel Enhancement Mode Vertical D-MOS Transistor Features Low threshold voltage Direct interface to C-MOS, TTL, etc. High-speed switching No secondary breakdown 1. Gate 2. Source 3. Drain SOT-323 Plastic PackageApplications Line current interrupter in telephone sets Relay, high speed and line transformer drivers Caution The device

7.1. Size:226K semtech
mmftp84.pdf

MMFTP84 P-Channel Enhancement Mode Vertical D-MOS Transistor Features Low threshold voltage Direct interface to C-MOS, TTL, etc. High-speed switching No secondary breakdown 1. Gate 2. Source 3. DrainSOT-23 Plastic PackageApplications Line current interrupter in telephone sets Relay, high speed and line transformer drivers Caution The device i

9.1. Size:428K semtech
mmftp3401.pdf

MMFTP3401 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1. Gate 2. Source 3. DrainTO-236 Plastic PackageAbsolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage -VDS 30 VGate-Source Voltage VGS 12 VDrain Current T = 25 4 A-ID A 3.2 T = 70 APeak Drain Current 1) -IDM 27 APower Dissipation 2) T = 25A1.4 PD W 0.9 T = 70AJunction and St

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History: JCS4N65BB

Liste

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