FTU02N60C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTU02N60C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FTU02N60C
FTU02N60C Datasheet (PDF)
ftd02n60c ftu02n60c.pdf
FTD02N60CFTU02N60CN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Max.) ID Adaptor TV Main Power600 V 4.4 2 A SMPS Power Supply LCD Panel Power DFeatures: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width CurveG GGOrdering InformationDSDS TO-251TO-252 SPART NUMBER PAC
ftu02n60b ftd02n60b.pdf
FTU02N60B/FTD02N60B 600V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features Low ON Resistance 600V 5.5 1.9A Low Gate Charge (typical 7.4nC) Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant Halogen-free available Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC LCD Panel Power Ordering Information
ftu02n70 ftd02n70.pdf
FTU02N70/FTD02N70 700V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON) (Max.) ID Low ON Resistance Low Gate Charge 700V 6.5 1.8A Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant Halogen-free available Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC LCD Panel Power Ordering Information Part Number Packag
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Liste
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