FTA02N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FTA02N65B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FTA02N65B

FTA02N65B Datasheet (PDF)

..1. Size:275K inpower semi
ftp02n65b fta02n65b ftq02n65b.pdf

FTP02N65BFTA02N65B FTQ02N65BN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications: AdaptorVDSS RDS(ON) (Max.) ID Charger650V 8.0 1.5A SMPS Standby Power LCD Panel PowerFeatures: RoHS Compliant Low ON ResistanceD Low Gate ChargeGG Peak Current vs Pulse Width CurveDS DS Inductive Switching Curves TO-220 TO-220FGOrder

6.1. Size:317K inpower semi
ftp02n65 fta02n65.pdf

FTP02N65FTA02N65N-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications: AdaptorVDSS RDS(ON) (Max.) ID Charger650V 5.0 2.0A SMPS Standby Power LCD Panel PowerFeatures:D RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width CurveGGDG Inductive Switching CurvesS DSOrdering InformationTO-220

7.1. Size:237K inpower semi
ftp02n60c fta02n60c.pdf

FTP02N60CFTA02N60CN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Max.) ID Adaptor TV Main Power600 V 4.4 2 A SMPS Power Supply LCD Panel Power DFeatures: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width CurveG GGOrdering InformationDSDS TO-220FTO-220 SPART NUMBER PA

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Liste

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