FTP10N60C Todos los transistores

 

FTP10N60C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTP10N60C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 216 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FTP10N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  inpower semi
 ftp10n60c fta10n60c.pdf pdf_icon

FTP10N60C

FTP10N60CFTA10N60CN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Max.) ID Adaptor TV Main Power600 V 0.85 10 A SMPS Power Supply LCD Panel Power DFeatures: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width CurveG GGOrdering InformationDSDS TO-220FTO-220 SPART NUMBE

 8.1. Size:425K  ark-micro
 ftp10n40 fta10n40.pdf pdf_icon

FTP10N60C

FTP10N40/FTA10N40400V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features Low ON Resistance 400V 0.50 10A Low Gate Charge (typical 34nC) Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant/Lead Free Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger LCD Panel Power Switching application Ordering Information Part Number Package Marking F

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History: JMSH2010PE

 

 
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