LIRFZ44N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LIRFZ44N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0175 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de LIRFZ44N MOSFET
LIRFZ44N Datasheet (PDF)
lirfz44n.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.55V N-Channel Mode MOSFET VDS=55V LIRFZ44NRDS(ON), Vgs@10V, Ids@25A =17.5m Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche RatedTO-220DGSAbsolute Maximum RatingsParameter Max. UnitsID @ TC = 25C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 49ID @ TC = 10
Otros transistores... FTP18N06 , FTP18N06N , FTP22N06B , FTU01N60C , L1N60 , L2N600 , L4N60 , L75N75 , 2SK3568 , SPI80N03S2-03 , SPP80N03S2-03 , SPB80N03S2-03 , STP80NF70 , CL616BA , P0160AI , P0165AI , P0170AI .
History: RU30P4C | AONS66917T | STW20NB50 | 4N80G-TMA-T | 2SJ207 | SQM200N04-1M1L | SI4124DY
History: RU30P4C | AONS66917T | STW20NB50 | 4N80G-TMA-T | 2SJ207 | SQM200N04-1M1L | SI4124DY



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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