P0170AI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P0170AI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
Encapsulados: TO251
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P0170AI datasheet
p0170ai.pdf
P0170AI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 700V 15 @VGS = 10V 1A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 700 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 1 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 0.6 A IDM 3 Pulsed Drain Current1,
Otros transistores... LIRFZ44N , SPI80N03S2-03 , SPP80N03S2-03 , SPB80N03S2-03 , STP80NF70 , CL616BA , P0160AI , P0165AI , AO3407 , P0260AD , P0260AI , P0260AT , P0260ATF , P0260ATFS , P0260ED , P0260EI , P0260EIS .
History: WTK9410 | IXFC16N80P
History: WTK9410 | IXFC16N80P
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