P0303BD Todos los transistores

 

P0303BD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P0303BD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 87 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 89 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 766 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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P0303BD Datasheet (PDF)

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P0303BD

P0303BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID23.7m @VGS = 10V30V 87ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C87IDContinuous Drain Current2TC= 100 C55AIDM300Pulsed Drain Curren

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P0303BD

P0303BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID3m @VGS = 10V30V 20ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C20IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C16AIDM80Pulsed Drain Current1

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P0303BD

P0303BKAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID3.5m @VGS = 10V30V 89APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C89IDContinuous Drain Current3TC = 100 C56IDM180Pulsed Drain Curre

Otros transistores... P0260ATF , P0260ATFS , P0260ED , P0260EI , P0260EIS , P0260ETF , P0270ATF , P0270ATFS , IRF730 , P0303BKA , P0303BV , P0320AL , P0403BD , P0403BDA , P0403BDG , P0403BT , P0403BV .

History: 2SK1904 | FTA06N60C

 

 
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