P0303BV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P0303BV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 102 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 897 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET P0303BV
P0303BV Datasheet (PDF)
p0303bv.pdf
P0303BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID3m @VGS = 10V30V 20ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C20IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C16AIDM80Pulsed Drain Current1
p0303bd.pdf
P0303BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID23.7m @VGS = 10V30V 87ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C87IDContinuous Drain Current2TC= 100 C55AIDM300Pulsed Drain Curren
p0303bka.pdf
P0303BKAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID3.5m @VGS = 10V30V 89APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C89IDContinuous Drain Current3TC = 100 C56IDM180Pulsed Drain Curre
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Liste
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