IRC830 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRC830
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
- Selección de transistores por parámetros
IRC830 Datasheet (PDF)
Otros transistores... IRC6305 , IRC6345 , IRC6405 , IRC6445 , IRC720 , IRC7305 , IRC7405 , IRC820 , IRF640 , IRC830-007 , IRC830-008 , IRC8305 , IRC830A , IRC832 , IRC832-007 , IRC832-008 , IRC833 .
History: AP04N60H-H-HF | FDD5N50NZ | FDS6892A | SI4800BDY | NTLJS4159NT1G | SSRF50P04-16 | WFW40N25W
History: AP04N60H-H-HF | FDD5N50NZ | FDS6892A | SI4800BDY | NTLJS4159NT1G | SSRF50P04-16 | WFW40N25W



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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