IRC830 Todos los transistores

 

IRC830 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRC830
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRC830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  international rectifier
irc830 irc830pbf.pdf pdf_icon

IRC830

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History: AP04N60H-H-HF | FDD5N50NZ | FDS6892A | SI4800BDY | NTLJS4159NT1G | SSRF50P04-16 | WFW40N25W

 

 
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