P7004EM Todos los transistores

 

P7004EM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P7004EM
   Código: 2J*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 137 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

P7004EM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:673K  unikc
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P7004EM

P7004EMP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID70m @VGS = -10V-40V -2.5ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-2.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-2AIDM-20Pu

 8.1. Size:338K  unikc
 p7004ev.pdf pdf_icon

P7004EM

P7004EVP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-40V 70m @VGS = -10V -4ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-4IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-3.2AIDM-20Pulsed Drain Curr

 9.1. Size:147K  vishay
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P7004EM

SUP70040Ewww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) d Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature0.0040 at VGS = 10 V 120100 76 100 % Rg and UIS tested0.0046 at VGS = 7.5 V 120 Material categorization:for definitions of compliance please see TO-220AB

 9.2. Size:238K  inchange semiconductor
 sup70040e.pdf pdf_icon

P7004EM

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor SUP70040EFEATURESTrenchFET Power MOSFET175 C Junction Temperature100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONPower Supply- Secondary Synchronous RectificationPower toolsMotor drive switchBattery managementABSOLUTE MAXIMU

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History: NTD3055-094-1

 

 
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