P0460AS Todos los transistores

 

P0460AS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P0460AS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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P0460AS Datasheet (PDF)

 0.1. Size:437K  unikc
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P0460AS

P0460AS / P0460ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID600V 2 @VGS = 10V 4A TO-263 TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5AIDM20Pulse

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P0460AS

P0460ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2 @VGS = 10V600V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.4AIDM20Pulsed Drain Current1

 8.2. Size:518K  unikc
 p0460atf-s.pdf pdf_icon

P0460AS

P0460ATF(S)N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID600V 2 @VGS = 10V 4ATO-220F TO-220FS 100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 AC2.5I

 8.3. Size:471K  unikc
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P0460AS

P0460AIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2 @VGS = 10V600V 4ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.4AIDM20Pulsed Drain Current1

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History: LSB55R050GT | HM10P10D | FDU6688 | UPA1950

 

 
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