PZD502CMA Todos los transistores

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PZD502CMA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PZD502CMA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.6 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 16 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.45 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23S

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PZD502CMA Datasheet (PDF)

1.1. pzd502cma.pdf Size:415K _unikc

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PZD502CMA N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 450mΩ @VGS = 4.5V 20V 1A SOT-23 (S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage ±8 TA = 25 ° C 1 ID Continuous Drain Current TA = 70 ° A C 0.7 IDM 5 Pulsed

3.1. pzd502cyb.pdf Size:539K _unikc

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PZD502CYB N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 450mΩ @VGS = 4.5V 0.7A SOT-523 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage ±8 TA = 25 ° C 0.7 ID Continuous Drain Current TA = 70 ° A C 0.6 IDM 2 Pulsed

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