P0806ATF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P0806ATF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 78 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 350 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 462 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P0806ATF

P0806ATF Datasheet (PDF)

..1. Size:353K unikc
p0806atf.pdf

P0806ATFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60V 8.5m @VGS = 10V 57ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 25 VTC = 25 C57IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C36AIDMPulsed Drain Current 220IASAvalanche Current 64EA

7.1. Size:342K unikc
p0806atx.pdf

P0806ATXN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60V 8m @VGS = 10V 110ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C110IDContinuous Drain Current1TC = 100 C69AIDM300Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current 102

7.2. Size:425K unikc
p0806at.pdf

P0806ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID60V 8.5m @VGS = 10V 82ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 60VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C82IDContinuous Drain Current2TC = 100 C52AIDM246Pulsed Drain Current

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Liste

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