P0603BDL MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

P0603BDL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P0603BDL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 719 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm

Encapsulados: TO252

Búsqueda de reemplazo de P0603BDL MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

P0603BDL datasheet

..1. Size:456K unikc
p0603bdl.pdf pdf_icon

P0603BDL N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 25V 6.8m @VGS = 10V 68A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 25 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 68 ID Continuous Drain Current1 TC = 100 C 43 A IDM 160 Pulsed Drain Curren

7.1. Size:450K unikc
p0603bd.pdf pdf_icon

P0603BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 5.8m @VGS = 10V 70A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 70 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 44 A IDM 180 Pulsed Drain Current1

7.2. Size:479K unikc
p0603bdb.pdf pdf_icon

P0603BDB N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 5.8m @VGS = 10V 30V 72A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC= 25 C 72 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 46 A IDM 160 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 50 E

7.3. Size:662K unikc
p0603bdg.pdf pdf_icon

P0603BDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6.5m @VGS = 10V 30V 68A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 68 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 43 A IDM 180 Pulsed Drain Current1

Otros transistores... P0903BDB, P0903BDG, P0903BDL, P0603BD, P0603BDB, P0603BDD, P0603BDF, P0603BDG, IRLB3034, P0603BEAD, P0603BK, P0603BT, P0603BV, P0604BD, P0610BTF, P062ABD8, P062ABDD

🌐 : EN ES РУ

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

P0603BDL Todos los transistores