P062ABDD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P062ABDD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 83 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 129 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 308 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: TO252

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P062ABDD datasheet

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P062ABDD

P062ABDD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 5.8m @VGS = 10V 25V 83A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 25 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 83 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 53 A IDM 180 Pulsed Drain Current

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P062ABDD

P062ABD8 N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6m @VGS = 10V 25V 60A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC= 25 C 60 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 38 A IDM 150 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 30 EAS

 7.2. Size:572K  unikc
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P062ABDD

P062ABDF N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7m @VGS = 10V 25V 75A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC= 25 C 75 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 50 A IDM 170 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Curr

Otros transistores... P0603BDL, P0603BEAD, P0603BK, P0603BT, P0603BV, P0604BD, P0610BTF, P062ABD8, 75N75, P062ABDF, P0660AS, P0660AT, P0660ATF, P0690ATF, P0690ATFS, P06B03LVG, P06P03LCG