P0765GTFS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P0765GTFS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO220FS

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P0765GTFS datasheet

 6.1. Size:502K  unikc
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P0765GTFS

P0765GTF / P0765GTFS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.5 @VGS = 10V 650V 7A TO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 650 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 7 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 4 A IDM

 9.1. Size:432K  unikc
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P0765GTFS

P0765ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 1.5 @VGS = 10V 7A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 650 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 7 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 4.2 A IDM 28 Pulsed Drain Curren

 9.2. Size:308K  niko-sem
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P0765GTFS

N-Channel Enhancement Mode P0765JD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 600m 7A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC =

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