P0920ATF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P0920ATF 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
Encapsulados: TO220F
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Búsqueda de reemplazo de P0920ATF MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
P0920ATF datasheet
p0920atf.pdf
P0920ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.42 @VGS = 10V 200V 9A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 200 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 5 A IDM 22 Pulsed Drain Curr
p0920at.pdf
P0920AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 200V 0.42 @VGS = 10V 9A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5.8 A IDM 36 Pulsed Drain Current1, 2 IAS Avalanche Current 9 E
p0920ad.pdf
P0920AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 200V 0.42 @VGS = 10V 9A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5.8 A IDM 36 Pulsed Drain Current1, 2 IAS Avalanche Current 9 E
p0920bd.pdf
P0920BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.42 @VGS = 10V 200V 9A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5 A IDM 31 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 9 EAS
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: P0920BD
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Liste
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