P0920ATF Todos los transistores

 

P0920ATF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P0920ATF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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P0920ATF PDF Specs

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P0920ATF

P0920ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.42 @VGS = 10V 200V 9A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 200 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 5 A IDM 22 Pulsed Drain Curr... See More ⇒

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P0920ATF

P0920AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 200V 0.42 @VGS = 10V 9A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5.8 A IDM 36 Pulsed Drain Current1, 2 IAS Avalanche Current 9 E... See More ⇒

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P0920ATF

P0920AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 200V 0.42 @VGS = 10V 9A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5.8 A IDM 36 Pulsed Drain Current1, 2 IAS Avalanche Current 9 E... See More ⇒

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P0920ATF

P0920BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.42 @VGS = 10V 200V 9A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5 A IDM 31 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 9 EAS ... See More ⇒

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