P0920ATF Todos los transistores

 

P0920ATF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P0920ATF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET P0920ATF

 

P0920ATF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  unikc
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P0920ATF
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P0920ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.42 @VGS = 10V200V 9ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 200VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C9IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM22Pulsed Drain Curr

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P0920ATF
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P0920ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200V 0.42 @VGS = 10V 9ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5.8AIDM36Pulsed Drain Current1, 2IASAvalanche Current 9E

 8.1. Size:355K  unikc
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P0920ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200V 0.42 @VGS = 10V 9ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5.8AIDM36Pulsed Drain Current1, 2IASAvalanche Current 9E

 9.1. Size:506K  unikc
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P0920ATF
P0920ATF

P0920BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.42 @VGS = 10V200V 9ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5AIDM31Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 9EAS

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
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