P1004BS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P1004BS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 271 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P1004BS

P1004BS Datasheet (PDF)

..1. Size:443K unikc
p1004bs.pdf

P1004BS N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID11m @VGS = 10V40V 53A TO-263ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C53IDContinuous Drain Current2TC = 100 C34AIDM159Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 40

8.1. Size:561K unikc
p1004bd.pdf

P1004BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID10m @VGS = 10V40V 55ATO-252100% Rg tested100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C55IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C44A

9.1. Size:133K ape
ap1004cmx.pdf

AP1004CMXHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Ultra-low Forward Diode D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 1.8m Low Profile (

9.2. Size:355K unikc
p1004hv.pdf

P1004HVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID40V 13m @VGS = 10V 10ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 24TA = 25 C10IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C8AIDM40Pulsed Drain Current1I

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: