P1103BEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P1103BEA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P1103BEA

P1103BEA Datasheet (PDF)

..1. Size:477K unikc
p1103bea.pdf

P1103BEAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID11m @VGS = 10V30V 37APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20 TC = 25 C37 TC = 100 C23IDContinuous Drain Current1,2 TA = 25 C12A T

8.1. Size:312K unikc
p1103bvg.pdf

P1103BVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 11m @VGS = 10V 11ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C11IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C10AIDM100Pulsed Drain Current

9.1. Size:266K sanyo
pcp1103.pdf

PCP1103Ordering number : ENA1346SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP Epitaxial Planar Silicon TransistorPCP1103DC / DC Converter ApplicationsApplications DC / DC converters, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, IGBT gate drivers.Features Adoption of MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High speed switch

9.2. Size:320K onsemi
pcp1103.pdf

Ordering number : ENA1346APCP1103Bipolar Transistorhttp://onsemi.com ( )30V, 1.5A, Low VCE sat PNP Single PCPApplications DC / DC converters, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, IGBT gate driversFeatures Adoption of MBIT process Large current capacity Low collector to emitter saturation voltage High speed switching High allowable powe

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Liste

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