P1308ATFG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1308ATFG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 833 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: TO220F

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P1308ATFG datasheet

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P1308ATFG

P1308ATFG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 13m @VGS = 10V 75V 48A TO-220F-3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 48 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 30 A IDM 160 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 4

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P1308ATFG

P1308ATG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 13m @VGS = 10V 75V 62A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC= 25 C 62 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 39 A IDM 200 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 53 EAS

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P1308ATFG

P1308AK N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m @VGS = 10V 75V 52A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 75 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 52 ID Continuous Drain Current TC = 70 C 42 A IDM 100 Pulsed Drain Curren

Otros transistores... P1203EK, P1203EV, P1203EVG, P1210BK, P1212AT, P1260AT, P1260ATF, P1308AK, IRF830, P1308ATG, P1350AT, P1350ATF, P1350ATFS, P1402CDG, P1403CV, P1403EK, P1403EV8