P1308ATFG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P1308ATFG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 93 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 833 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET P1308ATFG
P1308ATFG Datasheet (PDF)
p1308atfg.pdf
P1308ATFGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID13m @VGS = 10V75V 48ATO-220F-3ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C48IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C30AIDM160Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 4
p1308atg.pdf
P1308ATGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID13m @VGS = 10V75V 62ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C62IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C39AIDM200Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 53EAS
p1308ak.pdf
P1308AKN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID15m @VGS = 10V75V 52APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 75VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C52IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C42AIDM100Pulsed Drain Curren
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Liste
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