P1350ATFS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1350ATFS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 34 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V

Carga de la puerta (Qg): 40 nC

Tiempo de subida (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 204 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.52 Ohm

Paquete / Cubierta: TO220FS

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P1350ATFS Datasheet (PDF)

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P1350ATF / P1350ATFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 0.52 @VGS = 10V 13ATO-220F TO-220FS 100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C13IDContinuous Drain Current2TC = 100

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P1350ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 0.52 @VGS = 10V 13ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C13IDContinuous Drain Current2TC = 100 C10AIDM45Pulsed Drain Curren

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